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[看好评级]新材料系列报告之六:存储器量产元年临近 前驱体材料国产化势在必行

时间:2019-04-24 17:02:42 中财网
本期投资提示:
我国半导体芯片受制于人,大容量存储迎来突破。2017 年我国集成电路市场规模达到1.67万亿元,同比增长17.5%,但是国内集成电路市场主要依赖进口,进口额达到2601 亿美元,贸易逆差达到1932 亿美元。作为使用最为普遍的一种高端通用芯片,存储器在集成电路细分市场中规模居首。由于越来越多经济、社会、科技、军事等信息和资源被存储器储存收集,极易被窃取和利用,存储器作为信息存储的核心载体,其安全性更受到高度重视。因此存储芯片国产化已上升为涉及国家信息安全的战略地位。同时从海外半导体产业发展路径看,存储器产业发展成为其实现国家半导体产业崛起的切入点。因此我国加大了对存储器产业的投入,重点推进以长江存储(武汉新芯)、合肥长鑫、福建晋华为代表的存储器项目,2019 年有望成为量产元年。

存储器推动半导体销售额高增,3D NAND 渐成主流。2014-2016 年全球半导体销售额基本变化不大,而2017 年半导体销售额同比增长21.6%,达到创纪录的4122 亿美元,主要得益于存储器市场的高速增长,2017 年存储器市场销售额大幅增长61.5%,达到1240 亿美元。

数据中心、移动、汽车、物联网等领域的发展使得对存储速度和容量的要求不断提高,为了突破2D NAND 的物理极限,三星、海力士、东芝等主流厂商将技术转向3D NAND,根据IBS 预测3D NAND 市场将由2015 年7.1%提升至2025 年的98.2%,市场规模将达到685 亿美元。

大容量存储对应高深宽比制造要求,ALD 沉积工艺更具优势。随着DRAM 制程的不断缩窄以及3D NAND 的发展,对深宽比制造要求越来越高,ALD 沉积工艺相比传统CVD 和PVD 具有更好的均匀性和台阶覆盖能力,更适用于大容量存储制造过程。

前驱体市场不断扩大,3D 结构刺激需求增长。前驱体是半导体薄膜沉积工艺的主要原材料,主要应用于气相沉积(包括PVD、CVD 及ALD),以形成符合半导体制造要求的各类薄膜层。

随下游逻辑、存储等芯片产业发展,前驱体总体市场规模将保持快速增长。根据日本富士经济数据,全球前驱体销售规模在2014 年约7.5 亿美元,预计2019 年达到约12.0 亿美元,CAGR 10%。根据Techcet 的报告,由于复杂的3D 结构极大的激发了对高k 沉积制程的需求,带动高k 及金属前驱体市场快速增长,2015 年用于ALD/CVD 的高k 及金属前驱体市场规模为1.85 亿美元,2019 年增长为3.25 亿美元,CAGR 约15%。

投资建议:随着存储器容量及储存速度需求的不断提升,大容量3D NAND 将成为未来主流,刺激前驱体需求快速增长,同时国内长江存储、合肥长鑫、福建晋华等存储器项目投产临近,2019 年有望成为量产元年,前驱体国产化势在必行,率先切入产业链的企业将形成先发优势,充分享受产业上升期的市场红利。重点推荐:雅克科技:公司通过收购实现对韩国前驱体企业UP Chemical 100%控股,未来将填补国内半导体前驱体空白。UP Chemical前驱体主要用于存储、逻辑芯片制造的CVD 和ALD 沉积技术,广泛应用于高端制程下DRAM以及先进的3D NAND 的制造工艺,客户包括海力士、三星、东芝、台积电等全球主流半导体厂商,未来在大基金助力下,将加速导入国内长江存储、中芯国际等,势必迎来加速发展。

风险提示:3D NAND 市场渗透率不及预期,国内存储器项目量产进度不及预期,前驱体企业国产化导入进度不及预期
□ .宋.涛./.沈.衡  .上.海.申.银.万.国.证.券.研.究.所.有.限.公.司
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